[发明专利]曝光方法有效

专利信息
申请号: 02153821.2 申请日: 2002-11-28
公开(公告)号: CN1421746A 公开(公告)日: 2003-06-04
发明(设计)人: 高桑真步;浅沼庆太;东木达彦 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/02;H01L21/027
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 于静,陈海红
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 使用扫描曝光装置,当在下层图形上重叠地形成上层图形之时,谋求提高重叠精度。在所用的各曝光装置,对控制晶片,检测各发射区内在扫描方向4个以上,而且步进方向4个以上矩阵排列形成的,多个标记位置信息的步骤;运算与从重叠层曝光使用的扫描曝光装置得到的标记位置信息的各坐标分量的差分的步骤;由算出的差分,求出各自表示透镜象差参数的步骤;以及根据由求出的参数获得的校正参数,进行上述重叠曝光的步骤。
搜索关键词: 曝光 方法
【主权项】:
1、一种曝光方法是,使用相互沿相反方向移动载置掩模原版的原版台和载置晶片的晶片台,在扫描方向相对移动上述晶片和掩模原版进行扫描曝光,同时在与上述扫描方向垂直的步进方向移动上述晶片台,以步进重复方式对上述晶片进行曝光的扫描曝光装置,其特征是包括:在所使用的各曝光装置,对控制晶片,检测各发射区内在扫描方向4个以上,而且步进方向4个以上矩阵排列形成的多个标记位置信息的步骤;运算从被重叠层曝光时使用的扫描曝光装置得到的标记位置信息与从重叠层曝光使用的扫描曝光装置得到的标记位置信息的各坐标分量差分的步骤;由算出的差分,求出各个表示的透镜象差参数的步骤;以及根据由求出的参数获得的校正参数,进行上述重叠层曝光的步骤。
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