[发明专利]一种无掩模纳米图形制作方法及其制作装置无效
| 申请号： | 02153955.3 | 申请日： | 2002-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1506761A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陈献忠;姚汉民;陈旭南;石建平;李展;高洪涛;陈元培 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/30;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘秀娟 |
| 地址： | 610209*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种无掩模纳米图形制作方法及其制作装置，由真空室、亚稳态原子发生器、漏勺、平板电极、光阑、激光束、平面反射镜和工件台等构成，它利用带有小孔的光阑对亚稳态原子流进行准直，形成平行原子束，利用激光驻波场使亚稳态原子束形成横向空间周期分布，亚稳态原子在沉积时会破坏吸附在基底表面的自组装单分子膜，结合湿法刻蚀技术可制作不同材料的纳米图形。本发明不需要掩模与曝光系统，可以节约大量设备和仪器，成本相对低廉，可广泛应用于纳米图形制作、纳米材料和纳米器件等的研究和开发。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无掩模 纳米 图形 制作方法 及其 制作 装置 | ||
【主权项】：
1、一种无掩模纳米图形制作方法，其特征在于：包括下列步骤：(1)产生亚稳态原子流；(2)将亚稳态原子流射入真空工作室中，利用真空室中加有偏转电压的平板电极产生偏转电场区，除掉原子流中的电子和正离子，并用带小孔的光阑对原子流进行准直，将发散角很大的原子挡去，余下发散角很小的原子流；(3)将发散角很小的亚稳态原子流继续入射，并在激光束和反射激光束的重叠区形成的激光驻波场中发生激光淬火过程，形成横向周期分布，亚稳态原子破坏吸附在硅基底表面的SAM(自组装单分子)膜；(4)最后再利用湿法刻蚀技术在硅基底上得到金属纳米图形。
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