[发明专利]纳米蒙脱土及其制备方法无效
| 申请号： | 02153966.9 | 申请日： | 2002-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1506307A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 菅文广 | 申请（专利权）人： | 菅文广 |
| 主分类号： | C01B33/26 | 分类号： | C01B33/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 030021山西省太原市*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料技术领域，更具体地涉及到纳米蒙脱土及其制备方法。适用于所有纳米材料应用领域。其特征在于具有三维方向上的纳米尺寸，纯度高，工艺简单安全，具备纳米材料的通性，如小尺寸效应、表面效应、光学效应。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 蒙脱土 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米蒙脱土及其制备方法，其特征是，包含有三维方向的纳米尺寸，具有高的纯度，并具有纳米材料的通性。
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