[发明专利]磁存储装置无效
| 申请号： | 02154049.7 | 申请日： | 2002-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1448943A | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 国清辰也 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,梁永 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种能按照任意的时序读出连接在同一位线上的不同地址的存储单元的信息的MRAM。地址为AD00的存储单元备有串联连接在位线BL0a和BL0b之间的MOS晶体管Q1及Q2；以及磁隧道电阻元件MR00，MOS晶体管Q1及Q2的栅极连接在字线WL0a及WL0b上。存储线ML0及ML1分别通过N沟道型的MOS晶体管Q3及Q31，共同连接在参考电压源VR1上，同时分别连接在带有开关的电流源S1及S2上。位线BL0a、BL0b、BL01a及BL1b分别连接在带有开关的缓冲器B1～B4的输入端上，各自的输出供给读出放大器SA1。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储装置，备有将多个存储单元排列成矩阵状的存储单元阵列，上述存储单元至少有多条位线、多条字线、以及磁隧道结元件，该磁存储装置的特征在于：上述存储单元有：导电性地连接在成对的第一及第二位线上，至少具有作为对上述磁隧道结元件的信息读出用的电流路径功能的第一电流路径；上述第一电流路径有：配置在上述第一电流路径内的第一及第二开关元件；上述第一开关元件控制上述第一位线和上述磁隧道结元件的导电性连接、非连接；上述第二开关元件配置成能控制上述第二位线和上述磁隧道结元件的导电性连接、非连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02154049.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：食用水包油型乳化物和搅打过的水包油型乳化物
- 下一篇：催化气相氧化方法
