[发明专利]控制重掺锑或砷的硅片中氧含量的方法和装置

摘要

一种在按照引上法从熔体提拉单晶硅棒中调节氧浓度和分布的方法和装置，熔体任选地掺杂锑或砷，且熔体上方保持一种气氛。在批量式生长工艺中，当熔体固化部分增加时，逐渐增加熔体上方气氛的气体压力使之超过100乇。在连续式生长工艺中，熔体上方气氛的气体压力保持在或接近超过100乇的恒定值。该工艺和装置进一步的特征在于使用控制的惰性气体流，以便将蒸汽和微粒从硅棒和熔体表面去除，使得制造的单晶硅棒具有零位错。

主权项

1.一种在按照引上法从硅熔体提拉制备单晶硅棒期间去除所产生的蒸汽和微粒的方法，其中熔体处于熔体上方保持一种气氛的晶体提拉器的气密密封舱室内，该方法包括：在晶体生长舱室内用第一幕帘的吹洗气体径向朝外吹洗坩埚顶部开口周边的气氛，以便将蒸汽和微粒吹离熔体表面；和用第二幕帘的吹洗气体径向朝内吹洗坩埚顶部开口周边的气氛，以便将蒸汽和微粒吹离硅棒和熔体表面。