[发明专利]碳化硅冶炼温度测控技术无效
| 申请号： | 02154484.0 | 申请日： | 2002-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1421387A | 公开（公告）日： | 2003-06-04 |
| 发明（设计）人： | 唐晓舟;范先鹤;贺吉先;强树宏;阎志贤;胡凤伟;李金宝 | 申请（专利权）人： | 宁夏隆湖北方实业有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 宁夏专利服务中心 | 代理人： | 叶学军 |
| 地址： | 753000 宁夏回族自治区*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅冶炼温度测定及控制技术，其测温探头位于碳化硅炉石墨电极靠近炉芯的位置，来自测温探头的温度数据与设定的温度范围进行比较，根据比较数据调整整流变输出电流，从而控制冶炼温度在±100℃内。本发明将耐温低于1800℃的感温元件置于靠近炉芯的石墨电极之内，实现了炉芯温度的测定，从而为实现炉温的准确控制提供了保证，本发明可控制炉温在±100℃以内，产品电耗控制在5600度/T以内，品级率可达到60％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 冶炼 温度 测控 技术 | ||
【主权项】：
1.碳化硅冶炼温度测控技术，其特征在于在碳化硅炉石墨电极靠近炉芯的位置装有测温探头，来自测温探头的温度数据与设定的温度范围进行比较，根据比较数据调整整流变输出电流，从而控制冶炼温度在±100℃内。
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