[发明专利]半导体衬底的化学溶液处理装置

摘要

本发明涉及一种通过化学溶液溶解和除去粘附于半导体衬底的钌基金属的化学溶液处理装置，其具有化学溶液处理单元，和具有排气管道的储存单元，所述的储存单元用于储存化学溶液，以便使源自所述的化学溶液处理中溶解和去除的钌基金属的气体成分挥发而脱离化学溶液，其中，与衬底接触之后的化学溶液在化学溶液处理单元中的停留时间比化学溶液在储存单元中的停留时间短。

主权项

1.一种通过化学溶液溶解和除去粘附于半导体衬底的钌基金属的化学溶液处理装置，其包括：化学溶液处理单元，其可使半导体衬底与所述的化学溶液接触；储存单元，用于储存在所述的化学溶液处理单元中所使用的化学溶液；和化学溶液循环系统，其具有所述的储存单元，用于将所述的储存单元内的化学溶液提供给所述的化学溶液处理单元的化学溶液供应装置，和用于将在所述的化学溶液处理单元中使用和回收的化学溶液返回到所述的储存单元的化学溶液返回装置，其中：所述的化学溶液处理单元包括用于向半导体衬底提供化学溶液的化学溶液供应喷嘴，和用于回收所使用的化学溶液的回收机构；所述的储存单元的结构具有将与化学溶液接触的空隙部分，以便使源自所述的化学溶液处理中溶解和去除的钌基金属的气体成分在化学溶液循环过程中挥发脱离化学溶液，以及包括可强有力地从所述的储存单元中排出所述的挥发的气体成分的排气管道；和与半导体衬底接触之后的化学溶液在化学溶液处理单元中的停留时间比化学溶液在储存单元中的停留时间短。