[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 02154573.1 | 申请日： | 2002-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1424758A | 公开（公告）日： | 2003-06-18 |
| 发明（设计）人： | 下冈义明;松永范昭;柴田英毅 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 罗亚川 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法，根据本发明，备有在半导体基片10上形成的通过所要频率f0的信号的信号线17，和通过相位与上述信号相反的信号或与接地电源连接的差动信号线13，信号线和差动信号线是大致平行那样地通过绝缘层15层积的，令不存在差动信号线时的信号线的每单位长度的电阻成分，电感成分，电容成分分别为R，L，C时，信号线的实际布线长l比从上述公式求得的布线长l0长。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体装置，它的特征是备有在半导体基片上形成的通过所要频率f0的信号的信号线，和通过相位与上述信号相反的信号或与接地电源连接的差动信号线，上述信号线和上述差动信号线是大致平行那样地通过绝缘层层积的，令不存在上述差动信号线时的上述信号线的每单位长度的电阻成分，电感成分，电容成分分别为R，L，C时，上述信号线的实际布线长l的特征是比从下列公式l0=LC+R2+8π2f02L24π2f02C2R2+4π2f02L2求得的布线长l0长。
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