[发明专利]高速低功耗动态无比移位寄存器结构无效
| 申请号： | 02154591.X | 申请日： | 2002-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1506978A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 金湘亮;陈杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子中心 |
| 主分类号： | G11C19/28 | 分类号： | G11C19/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 10002*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种高速低功耗动态无比移位寄存器结构，包括：一个位选通开关用N型MOS晶体管，其栅极接第一不重叠时钟信号，衬底接地，漏极接输入触发信号；一个电容，接位选通开关用N型MOS晶体管的源极，另一端接地；两个反相对管，反相对管由一个N型MOS晶体管和一个P型MOS晶体管构成，该反相对管的栅极相连接并接至电容的一端，反相对管的N型MOS晶体管的源极与P型MOS晶体管的漏极相连接，N型MOS晶体管的衬底接地，P型MOS晶体管的衬底接电源；另一反相对管中的P型MOS晶体管的衬底接输入触发信号；另一反相对管的栅极接前一反相对管的N型MOS晶体管的源极和P型MOS晶体管的漏极。具有速度快、芯片面积小的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 功耗 动态 无比 移位寄存器 结构 | ||
【主权项】：
1、一种高速低功耗动态无比移位寄存器结构，其特征在于，其中包括：一个位选通开关用N型MOS晶体管，该N型MOS晶体管的栅极接第一不重叠时钟信号，衬底接地，漏极接输入触发信号；一个电容，该电容一端接位选通开关用N型MOS晶体管的源极，另一端接地；两个反相对管，反相对管由一个N型MOS晶体管和一个P型MOS晶体管构成，该反相对管的栅极相连接并接至电容的一端，反相对管的N型MOS晶体管的源极与P型MOS晶体管的漏极相连接，N型MOS晶体管的衬底接地，P型MOS晶体管的衬底接电源；另一反相对管中的P型MOS晶体管的衬底接输入触发信号；另一反相对管的栅极接前一反相对管的N型MOS晶体管的源极和P型MOS晶体管的漏极。
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