[发明专利]铜－镍磷多层膜的制备方法无效
| 申请号： | 02154653.3 | 申请日： | 2002-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1415787A | 公开（公告）日： | 2003-05-07 |
| 发明（设计）人： | 刘维民;石雷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | C25D5/12 | 分类号： | C25D5/12 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人： | 方晓佳 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜－镍磷多层膜的一种制备方法。本发明以硫酸铜、硫酸镍、亚磷酸，柠檬酸钠以及十二烷基硫酸钠为原料配制成沉积多层膜的溶液，采用电化学沉积的方法，制备软硬相交替的铜－镍磷多层膜。该方法的特点是设备和工艺过程简单，沉积温度较低，避免了物理方法沉积时高温下材料内部引入的热应力和层间热扩散。实验结果表明本发明所涉及的铜－镍磷多层膜有高的显微硬度和良好的摩擦学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种铜-镍磷多层膜的一种制备方法，采用电化学沉积的方法，对电极为纯镍板或铂电极，工作电极为金属片或导电玻璃，参比电极为饱和甘汞电极，其特征在于：将硫酸铜，硫酸镍，亚磷酸，柠檬酸钠以及十二烷基硫酸钠溶于蒸馏水中，调pH值为2.0～2.5，配制成电沉积多层膜的溶液，保持沉积温度40℃～45℃，电势在-50mV～-0.4V(SCE)之间沉积铜，电势≤-0.8V(SCE)范围内沉积镍磷。
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