[发明专利]信息记录介质、信息记录方法及介质制造方法无效
申请号: | 02154732.7 | 申请日: | 2002-08-30 |
公开(公告)号: | CN1447323A | 公开(公告)日: | 2003-10-08 |
发明(设计)人: | 宫本真;牛山纯子;宫内靖;梅泽和代;柏仓章;田村礼仁 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所;日立马库塞鲁株式会社 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 陈昕 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 得到在内周部记录信息时也不发生再结晶化,多次重写时再现信号劣化少的CAV方式的相变化光盘。一种信息记录介质,其特征在于,具有基板、和从激光束入射侧设有的第1保护层、第1界面层、记录层、第2界面层、第2保护层、吸收率控制层、热扩散层,第1界面层和第2界面层中含有Bi、Sn、Pb等促进记录层结晶化的元素,第1界面层含有的上述元素之和小于第2界面层。提高记录层成核速度的同时,可以抑制界面层材料溶入记录层引起的多次重写时的再现信号劣化。 | ||
搜索关键词: | 信息 记录 介质 方法 制造 | ||
【主权项】:
1.一种信息记录介质,其特征在于,具有基板、和通过激光束照射引起的相变化反应进行信息记录的可多次重写的记录层、和在上述记录层的激光束入射侧与上述记录层接触设置的第1界面层、和在与上述记录层的激光束入射侧的相反侧与上述记录层接触设置的第2界面层,在上述第1界面层和上述第2界面层都含有Bi、Sn、Pb中至少一种任意元素,并且上述第1界面层含有的上述元素的含量之和小于上述第2界面层含有的上述元素的含量之和。
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