[发明专利]半导体制造系统无效

专利信息
申请号: 02154758.0 申请日: 2002-08-30
公开(公告)号: CN1438676A 公开(公告)日: 2003-08-27
发明(设计)人: 上村昌己;中尾隆 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 杜日新
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明实现一种半导体制造系统,能使CVD成膜所需要的处理加工时间的缩短。在用加热器加热晶片以后,而且由加热器检出的温度实质上变成恒定以前,利用CIM3,构筑决定成膜结束时间的结束时间决定部5。
搜索关键词: 半导体 制造 系统
【主权项】:
1、一种半导体制造系统,其特征是具备:包括收容衬底,并在该衬底上形成膜的成膜室和加热上述衬底的加热装置的成膜装置;包括检测上述成膜室的内部和外部至少一方温度的温度检测装置和根据用该温度检测装置检测的温度,控制上述加热装置使其以规定温度加热上述衬底的控制装置本体的温度控制装置;以及用上述加热装置加热上述衬底以后,而且用上述温度检测装置检出的温度实质上成为一定之前,决定上述膜的成膜结束时间的结束时间决定装置。
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