[发明专利]半导体制造系统无效
申请号: | 02154758.0 | 申请日: | 2002-08-30 |
公开(公告)号: | CN1438676A | 公开(公告)日: | 2003-08-27 |
发明(设计)人: | 上村昌己;中尾隆 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杜日新 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明实现一种半导体制造系统,能使CVD成膜所需要的处理加工时间的缩短。在用加热器加热晶片以后,而且由加热器检出的温度实质上变成恒定以前,利用CIM3,构筑决定成膜结束时间的结束时间决定部5。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制造 系统 | ||
【主权项】:
1、一种半导体制造系统,其特征是具备:包括收容衬底,并在该衬底上形成膜的成膜室和加热上述衬底的加热装置的成膜装置;包括检测上述成膜室的内部和外部至少一方温度的温度检测装置和根据用该温度检测装置检测的温度,控制上述加热装置使其以规定温度加热上述衬底的控制装置本体的温度控制装置;以及用上述加热装置加热上述衬底以后,而且用上述温度检测装置检出的温度实质上成为一定之前,决定上述膜的成膜结束时间的结束时间决定装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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