[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明揭示了特征为备有半导体基片，在上述半导体基片的表面区域中，形成存储单元的存储区域上，用由第1绝缘膜与上述半导体基片绝缘地形成的多层层积体构成的第1栅极，和在上述半导体基片的表面区域中，至少形成控制上述存储单元的逻辑电路的逻辑区域上，用由第2绝缘膜与上述半导体基片绝缘地形成的第2栅极，上述第1栅极中与上述第1绝缘膜接触的层和上述第2栅极中与上述第2绝缘膜接触的层由相互不同的材料形成的半导体装置。又，本发明揭示了在半导体基片上在单元分离区域中划定分离的用于形成存储单元的存储区域，和用于形成控制这个存储单元的逻辑电路的逻辑区域，在半导体基片上形成第1绝缘膜。

主权项

1.半导体装置，它的特征是备有半导体基片，在上述半导体基片的表面区域中，形成存储单元的存储区域上，用由第1绝缘膜与上述半导体基片绝缘地形成的多层层积体构成的第1栅极，和在上述半导体基片的表面区域中，至少形成控制上述存储单元的逻辑电路的逻辑区域上，用由第2绝缘膜与上述半导体基片绝缘地形成的第2栅极，上述第1栅极中与上述第1绝缘膜接触的层和上述第2栅极中与上述第2绝缘膜接触的层由相互不同的材料形成。