[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件

摘要

本发明的课题是，获得一种不采用倾斜旋转注入和过剩的热扩散而能形成有在栅电极的下方形成的部分的光电二极管的杂质导入区的半导体器件的制造方法。采用照相制版法，在栅极结构15的端部上和与该端部相邻的光电二极管18的形成预定区域上形成有开口的图形的光致抗蚀剂30。其次，将光致抗蚀剂30用作注入掩模，在能量为300～600keV、剂量为1E12～1E14离子/cm2的注入条件下，垂直注入磷等N型杂质31。因此，能在P阱11的上表面内形成N型杂质导入区17。这时，N型杂质31能穿通栅极结构15而到达P阱11内，所以在栅极结构15的下方也能形成N型杂质导入区17。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：(a)准备衬底的工序；(b)在上述衬底的主面上形成栅极结构的工序；(c)在上述栅极结构的端部上和在与上述端部相邻的上述主面的规定区域上形成开口的掩模材料的工序；(d)将上述掩模材料用作注入掩模，在能使上述栅极结构的膜厚穿通的条件下，通过从大致垂直于上述主面的方向注入杂质，在上述端部下方的上述主面内和上述规定区域内形成具有作为光电二极管的一个电极的功能的第一导电型的第一杂质导入区的工序；(e)在上述规定区域内，形成具有作为上述光电二极管的另一电极的功能的第二导电型的第二杂质导入区的工序；以及(f)在上述主面内形成将上述栅极结构夹在中间而与上述第一杂质导入区相向的上述第一导电型的第三杂质导入区的工序。