[发明专利]低衬底损耗电感有效
申请号: | 02154862.5 | 申请日: | 2002-12-03 |
公开(公告)号: | CN1416145A | 公开(公告)日: | 2003-05-07 |
发明(设计)人: | 游永杰 | 申请(专利权)人: | 威盛电子股份有限公司 |
主分类号: | H01F17/00 | 分类号: | H01F17/00;H01L27/01 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒,魏晓刚 |
地址: | 台湾省台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种低衬底损耗电感,其由半导体集成电路技术所制造。该低衬底损耗电感包含一衬底,多个p型掺杂区及多个n型掺杂区,以交替的方式形成于该衬底内,一绝缘层,形成于该衬底的上方,以及一金属线圈,形成于该绝缘层上。该绝缘层隔离该金属线圈及该多个p型、n型掺杂区,且该多个p型、n型掺杂区的排列方式是与该金属线圈成正交。 | ||
搜索关键词: | 衬底 损耗 电感 | ||
【主权项】:
1.一种电感元件,其包含:一衬底;多个条状掺杂区,以p型、n型交替的方式形成于该衬底内;一绝缘层,形成于该衬底的上方;以及一金属线圈,形成于该绝缘层上;其中该绝缘层隔离该金属线圈及该多个条状掺杂区,且该多个条状掺杂区的排列方式是与该金属线圈成正交。
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