[发明专利]单晶硅太阳能电池的表面结构及其制作方法无效
| 申请号： | 02155236.3 | 申请日： | 2002-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1507075A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 莫春东;李仲明;张瑶;何少琪;李海滨 | 申请（专利权）人： | 北京力诺桑普光伏高科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐宁 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶硅太阳能电池的表面结构，它包括电池本体，其特征在于：在所述电池本体的表面间隔设置有倒金字塔，在所述倒金字塔之间的平面间隔上设置有由若干正金字塔组成的正金字塔区。这种电池表面的制作方法包括以下步骤：(1)在硅片表面生成厚度为1000～3000埃的氧化层；(2)在氧化硅的表面进行光刻，形成所需的倒金字塔窗口；(3)对硅片进行腐蚀，形成倒金字塔；(4)去除残余氧化硅；(5)对硅片进行腐蚀，在倒金字塔之间的平面上随机形成正金字塔。本发明由于采用表面正金字塔和倒金字塔结合的方式，可以最低限度地降低太阳能电池表面的反射率，提高电池的短路电流，同时采用本发明方法，使用普通的光刻机就可以加工，促进了倒金字塔的制作从实验室中走出，走向产业化。本发明可以广泛用于单晶硅太阳能电池的生产中。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 太阳能电池 表面 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种单晶硅太阳能电池的表面结构，它包括电池本体，其特征在于：在所述电池本体的表面间隔设置有倒金字塔，在所述倒金字塔之间的平面间隔上设置有由若干正金字塔组成的正金字塔区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
