[发明专利]双镶嵌金属内连线结构及其制作方法无效
| 申请号： | 02155290.8 | 申请日： | 2002-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1434509A | 公开（公告）日： | 2003-08-06 |
| 发明（设计）人： | 剡友圣 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种双镶嵌金属内连线结构及其制作方法，该双镶嵌结构包含有一底层，其内包含有一导电层；一第一介电层，设于该底层上；一蚀刻停止层，设于该第一介电层上；一介质窗开口，设于该第一介电层及蚀刻停止层中，以暴露出部份该导电层；一第二介电层，设于该蚀刻停止层上；一沟渠线形成于该介质窗开口上的该第二介电层中；一介电阻障层，覆盖该介质窗开口的侧壁；以及一金属阻障层，覆盖该沟渠线的内壁、该介电阻障层及该介质窗开口的底部；本发明以一介电阻障层保护介质窗侧壁，更结合一金属阻障层，将其整合于双镶嵌制程中，可有效改善介质窗的可靠度问题、铜金属填入能力亦大幅地提升，还可有效地改善化学机械研磨制程过程中的均匀度。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 金属 连线 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种双镶嵌结构，其特征是：包含有：一底层，其内包含有一导电层；一第一介电层，设于该底层上；一蚀刻停止层，设于该第一介电层上；一介质窗开口，设于该第一介电层及蚀刻停止层中，以暴露出部份该导电层；一第二介电层，设于该蚀刻停止层上；一沟渠线形成于该介质窗开口上的该第二介电层中；一介电阻障层，覆盖该介质窗开口的侧壁；以及一金属阻障层，覆盖该沟渠线的内壁、该介电阻障层及该介质窗开口的底部。
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