[发明专利]金属硅化物的制造方法有效
| 申请号： | 02155360.2 | 申请日： | 2002-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1507017A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 张国华 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种金属硅化物的制造方法，此方法在基底上形成介电层，接着于介电层上形成多晶硅材质的导体层，然后于导体层上形成黏着层，其中此黏着层为富含氮层或是氮离子植入层，其后于黏着层上形成金属硅化物层，通过此黏着层，金属硅化物层能够良好的黏着于导体层上。 | ||
| 搜索关键词： | 金属硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属硅化物的制造方法，其特征是，包括下列步骤：提供一基底，其中于该基底上形成有一介电层；于该介电层上形成一导体层；于该导体层上形成一黏着层；以及于该黏着层上形成一金属硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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