[发明专利]含锑纳米复合薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 02155411.0 | 申请日： | 2002-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1415778A | 公开（公告）日： | 2003-05-07 |
| 发明（设计）人： | 区定容;朱静;赵嘉昊;周惠华 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于光增强材料范围中的一种含锑纳米复合薄膜及其制备方法。本发明是利用磁控溅射方法，采用复合靶和多层制法，在基板上沉积一层含锑纳米复合薄膜，该薄膜由金属锑的纳米级颗粒在绝缘体内按一定的体积分数比呈无序分布。具有许多块体金属或块体绝缘体都不具备的特殊性质，如可以产生巨大的光场起伏，起光增强作用，即在光学近场的范围内局域场的强度可能大大超过入射场的强度。该薄膜可应用于光储存，光电子器件，光学显微技术以及光谱分析中提高局域光强或提高分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含锑纳米复合薄膜，其特征在于：所述含锑纳米复合薄膜，它由锑和绝缘体按一定的体积比构成，其锑在纳米复合薄膜中的体积分数为33％～67％。
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