[发明专利]由钙基蒙脱土制备高分子复合材料用的有机化蒙脱土方法无效
| 申请号： | 02155460.9 | 申请日： | 2002-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1424364A | 公开（公告）日： | 2003-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张增民;郭宝华;骆劲梅 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C09C3/08 | 分类号： | C09C3/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种由钙基蒙脱土制备有机化蒙脱土的方法，属高分子材料领域。本方法是，在由盐酸洗矿后的钙基蒙脱土中，加入季铵盐进行有机化处理制得用于高分子复合材料的有机化蒙脱土。采用本方法可省去常规方法中需先制得钠基蒙脱土的过程，从而节省大量能量的耗损。 | ||
| 搜索关键词： | 钙基蒙脱 土制 高分子 复合材料 机化 土方 | ||
【主权项】：
1.一种由钙基蒙脱土制备有机化蒙脱土的方法，其特征是，在由盐酸洗矿后的钙基蒙脱土中，加入季铵盐进行有机化处理制得用于高分子复合材料的有机化蒙脱土。
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