[发明专利]线上激光晶圆承座清洁装置有效
申请号: | 02155577.X | 申请日: | 2002-12-11 |
公开(公告)号: | CN1430243A | 公开(公告)日: | 2003-07-16 |
发明(设计)人: | 余政宏 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B08B7/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种线上激光晶圆承座清洁装置,包含有一可朝x轴-y轴-z轴方向运动的晶圆平台;一晶圆承座固定于该晶圆平台上,该晶圆承座具有一受有机物污染的表面;一层流气密舱,将该晶圆承座与大气环境隔离;一准分子激光产生模组,一激光传送系统与一激光对准投影透镜系统,传送激光并将激光导向该晶圆承座,使该受污染表面的有机物分解成小分子;以及一惰性气体供应系统,提供一惰性气体,以将该分解小分子带离该晶圆承座的该受污染表面;其中该步进机台尚包含有一制程控制电脑,可控制受污染的晶圆承座表面进行线上全面或局部的激光清洁;本发明利用激光并结合电脑以去除晶圆承座表面的污染物,避免人为处理去污产生的种种疏失,简化平坦度监控的异常处理,减少待机时间以及确保系统环境不受污染。 | ||
搜索关键词: | 线上 激光 晶圆承座 清洁 装置 | ||
【主权项】:
1.一种具有线上激光晶圆承座清洁装置的步进机台,其特征是:该步进机台包含有:一准分子激光产生模组,产生一具有一固定波长的曝光脉冲激光;一可朝x轴-y轴-z轴方向水平及垂直运动的晶圆平台;一制程控制电脑,控制该晶圆平台的x轴方向位移量,以及y轴方向位移量,及z轴方向位移量;一晶圆承座,固定于该晶圆平台上,吸真空固定一待曝光晶圆,该晶圆承座具有一受有机物污染的表面;一激光传送系统,将该脉冲激光以一预定入射角度导向该晶圆承座的该受污染表面,并将该受污染表面的有机物分解成小分子;一激光对准投影透镜系统,对准该曝光脉冲激光至该待曝光晶圆的焦距;一层流气密舱,设置于该激光传送系统的一端,将该晶圆承座与大气环境隔离,其中该层流气密舱具有一气体进口以及一排放出口;以及一惰性气体供应系统,与该层流气密舱的该气体进口相连接,提供一惰性气体,且该惰性气体于该层流气密舱呈现层流状态,以将该分解小分子带离该晶圆承座的该受污染表面;其中该受有机物污染的晶圆承座表面,可经由该制程控制电脑的控制而线上进行全面或局部的激光清洁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造