[发明专利]光致抗蚀剂残渣除去液组合物无效
申请号: | 02155744.6 | 申请日: | 2002-12-04 |
公开(公告)号: | CN1423172A | 公开(公告)日: | 2003-06-11 |
发明(设计)人: | 石川典夫;大和田拓央 | 申请(专利权)人: | 关东化学株式会社 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42;H01L21/306;H01L21/3213 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种光致抗蚀剂残渣除去液组合物,其特征在于,该组合物含有从脂肪族多元羧酸及其盐组成的组中选择的一种或两种以上,和从还原性化合物及其盐组成的组中选择的一种或两种以上。该组合物在半导体电路元件的制造步骤中,对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的除去性优良,且可以不腐蚀配线材料和不对配线材料和层间绝缘膜材料产生化学浸蚀。 | ||
搜索关键词: | 光致抗蚀剂 残渣 除去 组合 | ||
【主权项】:
1、一种光致抗蚀剂残渣除去液组合物,其特征在于,该组合物含有从脂肪族多元羧酸及其盐组成的组中选择的一种或两种以上,和从还原性化合物及其盐组成的组中选择的一种或两种以上。
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