[发明专利]浅槽与深槽隔离结构的制造方法有效
| 申请号： | 02155766.7 | 申请日： | 2002-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1505132A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 张冠纶;柳瑞兴;刘慈祥;江志民;蔡俊琳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;陈红 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种浅槽(Shallow Trench；ST)与深槽(DeepTrench；DT)隔离(isolation)结构的制造方法，结合化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing；CMP)法和其它沉积、光刻与蚀刻的工艺，来制造具有高平坦度填充物表面的隔离结构。本发明浅槽与深槽隔离结构的制造方法在进行深槽的光刻工艺时，可提供较大的工艺界面(process window)。本发明可增加元件的集成度，特别适用于双极互补型金属氧化物半导体(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor；BiCMOS)晶体管和CMOS晶体管。本发明可降低BiCMOS晶体管的电容值，特别有利于高频的集成电路(IC)元件的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种浅槽与深槽隔离结构的制造方法，至少包括：提供一基材；于该基材上形成一浅槽，其中该基材上已形成有一第一介电层，并暴露出该浅槽；形成一第二介电层以填满该浅槽并覆盖该第一介电层，其中该第二介电层具有一厚度；平坦化该第二介电层直至约距离该第一介电层的上方一高度；在该基材中形成一深槽；形成共形的一第三介电层，借以覆盖该深槽的上表面及侧壁；形成一非导电层，借以填满该深槽和该浅槽；回蚀该非导电层直至约低于该基材的一上表面；去除该第三介电层的一部分，借以暴露出该第二介电层；于该非导电层上形成一第四介电层，并填满该深槽和该浅槽；平坦化该第四介电层和该第二介电层直至约与该基材的该上表面等平面；以及去除该第一介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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