[发明专利]使用于低驱动电压的铁电电容制造方法有效
| 申请号： | 02155770.5 | 申请日： | 2002-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1507030A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 曾院介;王昭雄;吴泰伯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L27/10 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红;徐金国 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种使用于低驱动电压的铁电电容制造方法。此铁电电容的工艺首先在下电极上形成一层镍－镧氧化物(LaNiO3，LNO)层做为一层缓冲层，接着于其上使用溅射沉积(sputter deposition)的方法生长一层由钛酸铅锆(Pb(Zr1－xTix)O3，PZT)与铂(Pt)共同组成的铁电层，最后在铁电层上生长一层上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 驱动 电压 电容 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种可使用于低驱动电压下的铁电电容制造方法，该方法至少包括：形成一下电极；形成一缓冲层于该下电极上；形成一由钛酸铅锆与铂共同组成的铁电层于该镍-镧氧化物缓冲层之上；执行一退火工艺，结晶化该钛酸铅锆与铂共同组成的铁电层成为一结晶层；以及形成一上电极于该结晶层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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