[发明专利]设有数据读出参照用伪单元的薄膜磁性体存储装置

摘要

在存储阵列(10)内连续地设置标准存储单元(MC)和伪单元(DMC)。数据读出时，第一与第二数据线(LIO、LIOr)分别连接选择存储单元与伪单元，其中通过差动放大器(60)的工作电流。在第一与第二数据线(LIO、LIOr)的通过电流之间，加上对应于来自电压发生电路(55、56)的第一与第二偏置控制电压(Vofd、Vofr)之电压差的偏置；通过伪单元的基准电流(Iref)被设于通过选择存储单元的数据读出电流(Idat)的对应于存储数据的两种电平之间的中间电平上。

主权项

1.一种薄膜磁性体存储装置，其中设有：各自具有表现对应于磁化方向的电阻之结构的、在对应于存储数据的方向被磁化的多个存储单元；具有和各所述存储单元相同的结构与形状、在对应于所述存储数据的预定电平的方向被预先磁化的伪单元；数据读出时，分别经由所述多个存储单元中的选择存储单元和所述伪单元之一方与另一方跟固定电压电气连接的第一与第二数据线；基于所述选择存储单元和所述伪单元之间的电阻比较，读出所述存储数据的差动放大部分，所述差动放大部分包括：设有电气连接于工作电压和第一与第二读出节点之间的、其各自栅极跟所述第一与第二读出节点之一连接的第一与第二晶体管的电流供给电路，以及设有分别电气连接于所述第一与第二数据线和所述第一与第二读出节点之间的第三与第四晶体管的电流放大电路；以及分别向所述第三与第四晶体管的栅极供给第一与第二偏置控制电压的第一偏置调整电路；所述差动放大部分必要时将第一偏置设在所述第一与第二数据线各通过电流之间，以将所述第一与第二数据线中跟所述伪单元电气连接的一方的数据线中的通过电流，设定在分别与跟所述选择存储单元电气连接的另一方的数据线上的所述存储数据的电平对应的两种通过电流之间的中间电平上。