[发明专利]多层陶瓷基板及其制造方法无效
| 申请号： | 02155822.1 | 申请日： | 2002-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1418049A | 公开（公告）日： | 2003-05-14 |
| 发明（设计）人： | 齐藤隆一;勝村英则;加贺田博司 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H05K1/03 | 分类号： | H05K1/03;H05K1/11;H05K3/46 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 魏金玺,庞立志 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了具有充分平坦性和高的尺寸精度，在烧成后的电极附近不产生缺陷的多层陶瓷基板及其制造方法。该多层陶瓷基板具有玻璃陶瓷(6)和在玻璃陶瓷(6)内部及至少一个主面表面上形成的布线图形(2)、(4)以及将规定的布线图形(2)、(4)彼此连接的通路导体(3)，在该基板中，通路导体(3)含有以Ag、Au、Pt和Pd中至少－种为主成分的导电性材料、以及相对于100重量份的上述导电性材料，换算成Mo金属为0.05重量份以上至10重量份以下的Mo化合物或Mo金属。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 陶瓷 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多层陶瓷基板，其特征在于，该基板具有玻璃陶瓷和在上述玻璃陶瓷内部及至少一个主面表面上形成的布线图形、以及将规定的上述布线图形彼此连接的通路导体，在该多层陶瓷基板中，上述通路导体含有以Ag、Au、Pt和Pd中至少一种为主成分的导电性材料、以及相对于100重量份的上述导电性材料换算成Mo金属为0.05重量份以上至10重量份以下的范围的Mo化合物或Mo金属。
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