[发明专利]电光器件、液晶器件和投射型显示装置

摘要

本发明的课题是，对SOI结构的MIS晶体管能够切实抑制寄生双极现象等基板浮置效应，提供电学特性优良的电光器件。本发明的电光器件(液晶光阀)是以包括具有第1热膨胀系数的石英基板(基板主体10A)，在石英基板上形成的绝缘体层(基底绝缘膜12)和在绝缘体层上形成的、具有第2热膨胀系数的单晶硅层(半导体层1a)的复合基板作为一侧的基板的电光器件。然后，在绝缘体层上形成以单晶硅层作为沟道区1a’的TFT30，在构成沟道区1a’的单晶硅层内至少存在一条线缺陷D。

主权项

1.一种电光器件，它是具备了包含具有第1热膨胀系数的支撑基板，在该支撑基板上形成的绝缘体层和在该绝缘体层上形成的、具有与上述第1热膨胀系数不同的第2热膨胀系数的单晶半导体层的复合基板的电光器件，其特征在于：在上述绝缘体层上形成以上述单晶半导体层作为沟道区的薄膜晶体管，在形成上述沟道区的上述单晶半导体层内至少存在一条线缺陷。