[发明专利]半导体存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 02156074.9 | 申请日： | 2002-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1427484A | 公开（公告）日： | 2003-07-02 |
| 发明（设计）人： | 川中繁 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储器具备：绝缘膜上形成的半导体层；和多个由第1和第2晶体管串联连接构成的存储单元矩阵状配置形成的存储单元阵列，上述存储单元的一侧连接到位线上，另一侧施加有基准电位。其制造方法包括：在半导体衬底上边叠层氧化层和硅有源层；形成把上述硅有源层隔离成各个元件形成区的元件隔离区，与上述硅有源层大体位于同一平面；在上述硅有源层上边邻近形成成对的2个晶体管栅电极；以上述栅电极为掩模，向扩散层形成区注入规定的离子；通过用热处理工序激活注入的离子，形成成对的晶体管；以及形成分别与一侧和另一侧栅电极连接的第1和第2栅极布线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储器具备：绝缘膜上形成的半导体层；和多个存储单元矩阵状配置形成的存储单元阵列，所述存储单元由上述半导体层内形成的第1和第2晶体管串联连接构成，上述存储单元的一侧连接到位线上，另一侧施加有基准电位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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