[发明专利]存储器制造方法及装置有效
| 申请号： | 02156321.7 | 申请日： | 2002-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1508862A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 黄文魁;陈锡铨 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种存储器制造方法及装置，尤其是一种具有低漏电及低阻抗插塞的存储器制造方法及装置，是在存储器内部的接触节点及位线接触区处先沉积形成一掺杂的多晶硅层，从而形成低漏电界面，再在该多晶硅层上方沉积形成低接触阻抗的钨插塞，借此双层结构形成一兼具低漏电及低接触阻抗的存储器插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种存储器制造方法，包括：一形成多晶硅层的步骤，在一形成有各式晶体管的存储器的各区域上沉积形成一多晶硅层，从而获得在DRAM存储单元的各接触区内形成一全面覆盖的多晶硅层；一沉积形成钨插塞的步骤，使各接触区被钨插塞填满；一化学机械研磨步骤，将上述钨插塞的高度研磨至各接触区顶部为止，使各接触区形成双层插塞形式。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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