[发明专利]光调制器有效
| 申请号： | 02156335.7 | 申请日： | 2002-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1442726A | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | 宫崎泰典 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种光调制器，该光调制器可在不使消光特性变差的情况下，仅仅使线性调频脉冲减小。在阱层(10)和n侧的阻挡层(12)之间插入中间层(11)，对阱层(10)，施加张拉变形，在阻挡层(12)的带间隙Eb(eV)，阱层(10)的带间隙Ew(eV)，中间层11的带间隙Em(eV)之间，可保持Ew＜Em＜Eb的关系。还可形成下述张拉变形量子阱结构，其具有在具有这3种层的张拉变形的量子阱结构上，添加另一层的4种层。该另一层的带间隙为阱层(10)与中间层(11)之间的带间隙，或中间层(11)与阻挡层(12)之间的带间隙。在每1个周期的量子阱(8a)中，层数为任何数量。 | ||
| 搜索关键词： | 调制器 | ||
【主权项】：
1.一种光调制器，该光调制器在p型半导体和n型半导体之间，具有多重量子阱的吸收层，其特征在于该多重量子阱的1个周期的结构具有：阻挡层，该阻挡层具有第1带间隙；阱层，该阱层与上述阻挡层连接，并且在比上述阻挡层更靠近n型半导体一侧，具有小于第1带间隙的第2带间隙；中间层，该中间层与上述阱层连接，并且在比上述阻挡层更靠近n型半导体一侧，具有大于第2带间隙，且小于第1带间隙的第3带间隙；对上述阱层，施加张拉变形。
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