[发明专利]应用多层光致抗蚀剂层结构的光刻工艺有效
| 申请号： | 02156379.9 | 申请日： | 2002-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1472599A | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | 林思闽;张尚文;刘家助;陈正中 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种应用多层光致抗蚀剂层结构的光刻工艺，其首先在一衬底上形成一第一光致抗蚀剂层，并且在第一光致抗蚀剂层上形成一抗反射层，在抗反射层上形成一第二光致抗蚀剂层。接着，对第二光致抗蚀剂层进行一第一曝光工艺之后，进行一第一显影工艺，以构图第二光致抗蚀剂层以及抗反射层。之后，以第二光致抗蚀剂层与抗反射层为掩模，进行一第二曝光工艺以及一第二显影工艺，以构图第一光致抗蚀剂层。 | ||
| 搜索关键词： | 应用 多层 光致抗蚀剂层 结构 光刻 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种应用多层光致抗蚀剂层结构的光刻工艺，包括：在一衬底上形成一第一光致抗蚀剂层；在该第一光致抗蚀剂层上形成一非感光材料层；在该非感光材料层上形成一第二光致抗蚀剂层；对该第二光致抗蚀剂层进行一第一曝光工艺；进行一第一显影工艺，以构图该第二光致抗蚀剂层以及该非感光材料层；以及以该第二光致抗蚀剂层与该非感光材料层为掩模，进行一第二曝光工艺以及一第二显影工艺，以构图该第一光致抗蚀剂层。
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