[发明专利]填隙工艺有效
| 申请号： | 02156380.2 | 申请日： | 2002-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1503319A | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 翁俊仁;陈瓀懿;潘鸿赐;李秋德;吴德源;林嘉祥;严永松;林嘉祺;曾盈崇 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/768;H01L21/3105;H01L21/321;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种填隙工艺，此填隙工艺提供一个已形成有介电层的衬底，且于介电层中形成有开口。接着，于介电层上与开口中形成填隙材料层，再去除部分填隙材料层至露出介电层表面。然后，对填隙材料层与介电层表面进行填隙材料处理工艺，以使填隙材料层表面能够趋于平坦化，进而使得后续形成于其上的底层抗反射层或其它材料层能够具有良好的平坦特性。 | ||
| 搜索关键词： | 填隙 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种填隙工艺，包括：提供一衬底，于该衬底上形成有一介电层，且于该介电层中形成有一开口；于该介电层上与该开口形成一填隙材料层；去除部分该填隙材料层至露出该介电层表面；以及对该填隙材料层与该介电层表面进行一填隙材料处理工艺，以去除部分该介电层与该填隙材料层，并使该填隙材料层较平坦化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
