[发明专利]跨导基本上恒定的电路有效
| 申请号： | 02156389.6 | 申请日： | 2002-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1427480A | 公开（公告）日： | 2003-07-02 |
| 发明（设计）人： | H·J·F·马里 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,梁永 |
| 地址： | 荷兰艾恩*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 讨论了一种跨导电路，它具有至少一个连接在二个电源端子(20，21)之间并包括至少一个MOS晶体管(M1，M1’)的跨导子电路(100)。它包含用偏置电流来偏置子电路(100)中的MOS晶体管(M1，M1’)的装置(200)，此偏置电流随温度的变化基本上补偿子电路(100)中MOS晶体管(M1，M1’)沟道中多数载流子的迁移率随温度的变化，以这样的方法来使电路的跨导基本上与温度无关。可应用于特别是模拟集成电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 基本上 恒定 电路 | ||
【主权项】：
1.一种具有至少一个跨导子电路(100)的跨导电路，此子电路被连接在二个电源端子(20，21)之间并包括至少一个MOS晶体管(M1，M1’)。其特征在于，它包含用偏置电流来偏置子电路(100)中的MOS晶体管(M1，M1’)的装置(200)，此偏置电流作为温度函数的变化基本上补偿子电路(100)中MOS晶体管(M1，M1’)沟道中多数载流子的迁移率随温度的变化，以这样的方法来使电路的跨导基本上与温度无关。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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