[发明专利]晶圆中心校正器及校正方法无效
| 申请号： | 02156647.X | 申请日： | 2002-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1508858A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 陈复生 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种晶圆中心校正器，用以校正反应室内静电吸盘与聚焦环的组装误差，聚焦环是一横截面呈L形的环状结构，套置于静电吸盘外侧，其中L形上部为聚焦环的第一环壁，而L形底部为聚焦环的第二环壁，该校正器包括：一本体；弧形底肋，位于该本体的一侧，该底肋的曲率半径与静电吸盘及聚焦环的曲率半径相同，底肋宽度等于聚焦环的第一环壁与静电吸盘之间的间距，并适足以放置在静电吸盘与该聚焦环之间的环形间隙中，底肋厚度大于聚焦环的第一环壁的厚度；本发明可使静电吸盘及聚焦环间保持一良好均匀的环形间隙，大幅提升反应室内晶圆反应的均一性；且快速、简便，以一种经济、有效方式解决了因静电吸盘及聚焦环的人为组装差异造成的晶圆反应不均一的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 中心 校正 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆中心校正器，用以校正反应室内静电吸盘与聚焦环的组装误差，聚焦环是一横截面呈L形的环状结构，套置于静电吸盘外侧，其中L形上部为聚焦环的第一环壁，而L形底部为聚焦环的第二环壁，其特征是：该校正器包括：一本体；底肋，位于该本体的一侧，该底肋为弧形，该底肋的曲率半径与静电吸盘及聚焦环的曲率半径相同，底肋的宽度等于聚焦环的第一环壁与静电吸盘之间的间距，并适足以放置在静电吸盘与该聚焦环之间的环形间隙中，底肋的厚度大于聚焦环的第一环壁的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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