[发明专利]具有部分嵌埋型解耦合电容的半导体芯片

摘要

一种部分嵌埋型解耦合电容，设置成半导体芯片的集成部分，以降低delta－I噪声。半导体芯片包括多个嵌埋的金属层、一个钝化层，形成于多个嵌埋的金属层上方作为半导体芯片的最顶层以及多个焊垫，放置于钝化层上。一个表面平面型金属图案形成于钝化层上且经由多个焊垫中的一个或打开于钝化层上的一个通孔而电连接至多个嵌埋的金属层中的一层。表面平面型金属图案可连接至半导体芯片之电源层或接地层。因而，表面平面型金属图案作为一个电极、以其它层作为相反电极，且以夹在其间的钝化层作为介电层所组成。表面平面型金属图案还作为散热器，直接从半导体芯片内部散热。

主权项

1.一种部分嵌埋型解耦合电容，用以降低delta-I噪声，用于半导体芯片中，该半导体芯片包括多个嵌埋的金属层、一个钝化层，形成于该多个嵌埋的金属层上方作为该半导体芯片的一个最顶层，以及多个焊垫，配置于该钝化层上，该电容包含一个表面平面型金属图案，形成于该钝化层上且电连接至该多个嵌埋的金属层中的一层，其特征在于：该表面平面型金属图案作为该解耦合电容的一个电极，该多个嵌埋的金属层中的其它层的至少一层作为该解耦合电容的另一电极，并且该钝化层作为该解耦合电容的一个介电层，且该表面平面型金属图案还作为一个散热器，用以经由该多个嵌埋的金属层中的电连接至该表面平面型金属图案的该层而直接从该半导体芯片的内部散热。