[发明专利]大浮雕深度微透镜阵列的制作方法无效
| 申请号： | 02156823.5 | 申请日： | 2002-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1508567A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 董小春;杜春雷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G02B3/00 | 分类号： | G02B3/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘秀娟 |
| 地址： | 610209*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 大浮雕深度微透镜阵列的制作方法通过刻蚀深度和刻蚀口径计算所要刻蚀的微透镜阵列浮雕的剖面图，并根据刻蚀深度－曝光量的关系对获得的掩模单元图形进行优化，由优化后的掩模图形进行曝光、显影、坚膜，完成微透镜阵列的制作。本发明能在刻蚀深度比较大的情况下，高保真的将目标图形传递到光刻胶上，制作的微透镜阵列的浮雕深度比现有技术提高近三倍。 | ||
| 搜索关键词： | 浮雕 深度 透镜 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
1、大浮雕深度微透镜阵列的制作方法，其特征在于通过以下步骤完成：①由刻蚀深度和刻蚀口径要求计算刻蚀的微透镜阵列浮雕的剖面图；②根据刻蚀深度-曝光量的关系，对计算出的微透镜阵列浮雕的剖面图进行优化，获得掩模单元优化图形；③按掩模单元优化图形参数制作掩模；④将掩模图形投影到光刻胶上，进行曝光，在曝光过程中连续移动掩模；⑤显影，坚膜。
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