[发明专利]等离子体反应室的干式清洁方法有效
| 申请号： | 02157104.X | 申请日： | 2002-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1506172A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 郑朝云;郭行健;庄智强;吴淑芬 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B9/00 | 分类号： | B08B9/00;H01L21/3213;H01L21/3065;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 魏晓刚;李晓舒 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种等离子体反应室的干式清洁方法，适用于金属蚀刻工艺。首先，将一具有一金属层的基底置入一等离子体反应室。接着，蚀刻基底上的金属层。最后，自等离子体反应室移出基底并实施一干式清洗程序。其首先，借由氧气形成的等离子体清洁等离子体反应室内壁。随后，借由氯气及氯化硼气体形成的等离子体清洁等离子体反应室的上电极及下电极。再以氟化硫气体及氧气形成的等离子体清洁等离子体反应室内壁。最后，于等离子体反应室通入及抽取作为迫除气体的氧气及氦气。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 反应 清洁 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体反应室的干式清洁方法，包括下列步骤：在一等离子体反应室中形成一第一等离子体，以清洁该等离子体反应室内壁；在该等离子体反应室中形成一第二等离子体，以清洁该等离子体反应室的上电极及下电极；以及在该等离子体反应室中形成一第三等离子体，以清洁该等离子体反应室内壁。
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