[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 02157583.5 | 申请日： | 2002-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1417871A | 公开（公告）日： | 2003-05-14 |
| 发明（设计）人： | 宇田川诚;早川昌彦;小山润;纳光明;安西彩 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L51/20;H01L27/15;H05B33/00;G09F9/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一个TFT，它的沟道长度比目前的长，具体地说，比目前的要长几十倍到几百倍，因而，能在比目前高得多的驱动栅电压下进入接通状态，并具有一个低的沟道电导gd。根据本发明，不但接通电流的简单离散而且其归一化离散可以被减小，除了在各TFT之间的离散的减少以外，OLED自身的离散，和由于OLED损坏引起的离散也可以被减少。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
1、一种具有发光元件的发光器件，该发光元件包括：阴极；与阴极接触的有机化合物层；和与有机化合物层接触的阳极；其中和发光元件相连的TFT的沟道长度L是100μm或更长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02157583.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：同轴连接器及其制造方法
- 下一篇：发动机的起动机
