[发明专利]利用金属诱导横向结晶的多栅薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 02157811.7 | 申请日： | 2002-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1431718A | 公开（公告）日： | 2003-07-23 |
| 发明（设计）人： | 苏宇永 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波,侯宇 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用金属诱导横向结晶的多栅薄膜晶体管及其制造方法。该多栅薄膜晶体管能够不增大尺寸地使多栅金属化。该薄膜晶体管具有以Z字形形状形成在绝缘衬底上的半导体层；和配备有一个或多个与半导体层相交的栅电极，半导体层包括：与栅电极相交的两个或多个主体部分；和与每个相邻的主体部分连结的一个或多个连结部位，其中在栅电极中覆盖半导体层的部分充当多栅，并且MILC表面形成在不与栅电极在半导体层中相交的部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 金属 诱导 横向 结晶 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用金属诱导横向结晶(MILC)工艺的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：以Z字形形状形成在绝缘衬底上的半导体层；和与半导体层相交的栅电极，其中半导体层在不与栅电极相交的部位有MILC表面，并且MILC表面是通过MILC工艺在相反方向上生长的晶化多晶硅的两个表面遇合的部分。
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