[发明专利]避免硅层蚀刻不均匀的方法有效
| 申请号： | 02157812.5 | 申请日： | 2002-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1508851A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 侯建州;黄庆德;黄立维;陈世昆 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种避免硅层蚀刻不均匀的方法。藉由一抗蚀刻能力好的蚀刻缓冲层，在硅层表面与侧壁上均匀地提供一蚀刻阻力，使整个衬底的蚀刻速率均匀一致，可获得厚度均匀的硅层。首先，提供一硅层。接着，形成一具有预定图案的掩模层于上述硅层的部分表面。接着，以上述掩模层为遮蔽，在上述硅层上实施一第一次蚀刻工序，以形成一图案化硅层。然后，去除上述掩模层。接着，保形地形成一层氧化硅层于上述图案化的衬底表面与侧壁上。最后，全面性地施行一第二次蚀刻工序，不仅去除上述氧化硅层，还蚀刻上述图案化硅层，使上述图案化硅层具有一既定厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 蚀刻 不均匀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种避免硅层蚀刻不均匀的方法，包括：提供一图案化硅层；保形地形成一蚀刻缓冲层于上述图案化硅层表面与侧壁上；以及全面性地施行一蚀刻工序，不仅去除上述蚀刻缓冲层，且蚀刻上述图案化硅层，使上述图案化硅层减少至一既定厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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