[发明专利]高频肖特基二极管的电化学制作方法无效
| 申请号： | 02157828.1 | 申请日： | 2002-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1508853A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 吴南健 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3205;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高频肖特基二极管的电化学制作方法，包括如下步骤：1)用电化学工艺在半导体表面上形成阳极氧化多孔绝缘薄膜；2)把阳极氧化多孔绝缘薄膜作为形成肖特基二极管的掩膜；3)用电化学阳极氧化腐蚀和镀金工艺首先腐蚀掉半导体表面层，然后通过镀金法在多孔氧化薄膜的孔中淀积金属，形成金属/化合物半导体肖特基接触界面和肖特基二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 肖特基 二极管 电化学 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种高频肖特基二极管的电化学制作方法，其特征在于，包括如下步骤：1)用电化学工艺在半导体表面上形成阳极氧化多孔绝缘薄膜；2)把阳极氧化多孔绝缘薄膜作为形成肖特基二极管的掩膜；3)用电化学阳极氧化腐蚀和镀金工艺首先腐蚀掉半导体表面层，然后通过镀金法在多孔氧化薄膜的孔中淀积金属，形成金属/化合物半导体肖特基接触界面和肖特基二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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