[发明专利]薄膜体声波谐振器及其制造方法无效
| 申请号： | 02157838.9 | 申请日： | 2002-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1450719A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 张济旭;鲜于国贤 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25;H03H3/08 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜,谷惠敏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种薄膜体声波谐振器(FBAR)包括在衬底上的绝缘层以防止信号传输到衬底。该FBAR包括与激活区相对应的牺牲层部分以便调整谐振频带并提高谐振频带的传输增益，部分刻蚀的部分膜层的厚度小于该膜层的其他部分。形成该FBAR的方法包括形成由多晶硅制成的牺牲层、使用干刻蚀过程形成气隙以及形成通孔。该方法防止在现有技术中的气隙形成过程中产生的结构问题以及提供可控制的通孔的位置和数量。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 声波 谐振器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜体声波谐振器，具有与预定频率信号谐振的激活区，包括：衬底；在所述衬底上形成的绝缘层；在所述绝缘层上形成的并具有气隙的薄膜支撑层；在所述薄膜支撑层上形成的膜层；在所述膜层上形成的第一电极；在所述第一电极层上形成的压电层；以及在所述压电层上形成的第二电极。
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