[发明专利]设计系统大规模集成电路的方法无效
| 申请号： | 02158389.7 | 申请日： | 2002-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1430265A | 公开（公告）日： | 2003-07-16 |
| 发明（设计）人： | 中岛博行 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/00;G06F17/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉,张天舒 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明披露了一种用于设计系统LSI的方法，该方法包括步骤：将系统LSI的算法描述划分为软件组和硬件组，利用行为综合对硬件组进行综合以创建RTL描述和模拟描述，根据RTL描述检验系统LSI的电路规模，以及根据模拟描述和软件描述模拟系统LSI。 | ||
| 搜索关键词： | 设计 系统 大规模集成电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于设计根据特定软件运行系统LSI的方法，所述方法包括下列步骤：描述基本指令处理器、专用指令处理器以及在所述基本指令处理器与所述专用指令处理器之间传送数据的通信接口的各功能，从而创建算法描述；以及利用行为综合综合所述算法描述以对所述基本指令处理器、专用指令处理器以及通信接口创建低级语言描述。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02158389.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于管理产品储备的系统和方法以及计算机程序
- 下一篇：选择反射
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
