[发明专利]激光装置、激光辐射方法及半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种可以提高基片处理的效率的连续振荡激光装置、一种激光辐射方法，和一种用该激光装置制造半导体器件的制造方法。根据掩模来控制在图形化以后应留在基片上的半导体薄膜的部分。然后，决定要由激光扫描的部分以便可以使至少通过图形化所得到的部分晶化。同时，束斑照射到要扫描的部分。因此，将半导体薄膜部分晶化。即，根据本发明，激光不扫描和辐射半导体薄膜的整个表面而是进行扫描使至少必不可少的部分被晶化。根据上述结构，可以节省激光辐射在半导体薄膜晶化以后将要通过图形化而去除的那一部分上所用的时间。

主权项

1.一种用于半导体器件的生产系统包括：用于在绝缘表面上形成的半导体薄膜中形成标记的装置；用于存储有关要被形成在所述半导体薄膜上的图案的信息的装置；一装置，用于指定区域，该区域将在图形化半导体薄膜以后获得且成为岛状半导体薄膜，利用关于标记的图案信息并决定要由激光扫描的半导体薄膜的区域以便至少使将要变成所述岛状半导体薄膜的区域包含在要扫描的区域内；一激光振荡装置；一用于处理由所述激光振荡装置所振荡的激光的光学系统；一装置，用于控制所述激光束斑在所述半导体薄膜上的位置使所处理的激光辐射到要由激光扫描的所决定的区域；用于图形化根据图案信息由激光辐射的半导体薄膜的装置。