[发明专利]低压燃烧合成氮化硅或氮化硅铁的方法及设备无效
申请号: | 02158760.4 | 申请日: | 2002-12-26 |
公开(公告)号: | CN1424249A | 公开(公告)日: | 2003-06-18 |
发明(设计)人: | 孙加林;洪彦若;祝少军 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C01B21/06 | 分类号: | C01B21/06;C01B21/068;C04B35/591;C04B35/584 |
代理公司: | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人: | 杨玲莉 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 低压燃烧合成氮化硅或氮化硅铁的方法及设备。本发明涉及无机非金属材料的制备方法。本发明以硅粉或硅铁粉为原料,加入稀释剂氮化硅或氮化硅铁细粉制成配合料,在立式燃烧合成反应炉中,控制加入配合料的料量,控制氮气压力为0.01~3MPa,并在900℃~1850℃之间进行连续或间断燃烧合成,燃烧合成后的氮化硅或氮化硅铁经自然冷却或强制冷却后,呈块状的成品,再经球磨机、振动磨机或其它磨碎设备制成粉末。解决了现有燃烧合成氮化硅或氮化硅铁方法不能连续、规模生产的问题,实现了既可以间断又可以连续大规模生产氮化硅或氮化硅铁。 | ||
搜索关键词: | 低压 燃烧 合成 氮化 方法 设备 | ||
【主权项】:
1、一种低压燃烧合成氮化硅或氮化硅铁的方法,以硅粉或硅铁粉为原料,通入氮气,其特征在于:a)加入稀释剂氮化硅或氮化硅铁细粉制成配合料,重量配合比为稀释剂∶原料=100∶5~80,混合时间4~40分钟;b)在立式燃烧合成反应炉中,预热氮气,预热温度在常温至1200℃之间;c)控制加入上述配合料的料量,控制氮气压力为0.01~3Mpa,并在900℃~1850℃之间进行连续或间断燃烧合成;d)将燃烧合成后的氮化硅或氮化硅铁自然冷却或强制冷却,再经球磨机、振动磨机或其它磨碎设备制成粉末。
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