[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法

摘要

一种非挥发性存储器元件及其制造方法，此非挥发性存储器例如是氮化硅存储器元件，其在至少一字符线底下有一ONO层。此ONO层形成在一基底上，接着一图案化的光阻层形成在ONO层上。之后将光阻层作为一植入罩幕以在基底中形成至少一位线。接着在基底上形成一材料层，并且将材料层平坦化直到光阻层暴露出来。继之将光阻层移除，并且在材料层的表面上形成一高分子材料层。接着以高分子材料层为一蚀刻罩幕以定义ONO层的顶部氧化硅以及氮化硅。然后再将材料层以及高分子材料层移除。

主权项

1.一种非挥发性存储器的制造方法，其特征是，该方法包括：提供一基底，该基底上已形成有一捕捉层以及一图案化的光阻层；以该光阻层为一植入罩幕以形成至少一位线；在该光阻层之间形成一材料层；移除该光阻层；在该材料层的表面上形成一高分子材料层；以及以该高分子材料层为一蚀刻罩幕以定义该捕捉层。