[发明专利]半导体集成电路器件

摘要

本发明提供一种配备有一种负反馈放大器电路或降压电路的半导体集成电路器件，该电路响应于电源电压的变动而有效地实现输出电压的稳压。一个恒定电流源促使用于设置电流消耗的偏流流经一个差动放大MOSFET。一个电容器被提供于一个外部电源电压与一个预定电路节点之间以便检测外部电源电压的减少。通过使用一个由于这类外部电源的变动而流经电容器的电流来增加差动放大MOSFET的操作电流，从而对应于外部电源电压的减少而执行将输出电压稳压的操作。

主权项

1.一种半导体集成电路器件，包括：一个第一电源端，它接收第一电源电压；一个接地端，它接收接地电位；及一个电压生成电路，它响应于第一电源电压和接地电位而形成一个低于第一电源电压的第二电源电压，其中该电压生成电路包括一个第一差动放大器电路、一个第二差动放大器电路、根据第一和第二差动放大器电路的输出信号而输出第二电源电压的一个输出电路、一个第一电容性元件、一个第二电容性元件和一个接收低于第一电源电压的基准电压的基准电压端，其中第一差动放大器电路具有一个其栅极连至基准电压端的第一MOSFET及一个其栅极连至所述输出电路的一个输出端的第二MOSFET，其中第二差动放大器电路具有一个其栅极连至基准电压端的第三MOSFET及一个其栅极连至所述输出电路的一个输出端的第四MOSFET，其中第一MOSFET的漏极与第三MOSFET的漏极彼此连接，其中第二MOSFET的漏极与第四MOSFET的漏极彼此连接，其中第一MOSFET的源极与第二MOSFET的源极连至一个第一公共节点，其中第三MOSFET的源极与第四MOSFET的源极连至一个第二公共节点，其中第一电容性元件以这样的方式被连接于第一电源端与第一公共节点之间，即使第一电源端与第一公共节点之间的电容变为大于第一电源端与第二公共节点之间的电容，及其中第二电容性元件以这样的方式被连接于接地端与第二公共节点之间，即，使接地端与第二公共节点之间的电容变为大于接地端与第一公共节点之间的电容。