[发明专利]一种氧化物巨磁电阻自旋阀、制备工艺及其用途有效
| 申请号： | 02158961.5 | 申请日： | 2002-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1512603A | 公开（公告）日： | 2004-07-14 |
| 发明（设计）人： | 于敦波;严辉;张深根;朱满康;颜世宏;杨红川;王波;徐静;应启明;张国成 | 申请（专利权）人： | 有研稀土新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/15;G01R33/00 |
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| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化物巨磁电阻自旋阀、制备方法及其用途。属于材料制造、传感及磁存储技术领域。本发明所涉及的自旋阀至少由四层薄膜组成，依次是反铁磁层、钉扎层、隔离层、自由层；各层材料均为氧化物。其制备工艺为溅射法或溶胶－凝胶法或脉冲激光沉积法，本发明所涉及的氧化物巨磁电阻自旋阀在磁场作用下，其电阻率明显降低，具有饱和场低，磁场灵敏度高等优点。特别适合于制备高灵敏度的传感器和磁存储器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 磁电 自旋 制备 工艺 及其 用途 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物巨磁电阻自旋阀，其特征是：利用相应镀膜方法制备至少由四层氧化物薄膜组成的多层膜，依次是反铁磁层、钉扎层、隔离层、自由层；该氧化物巨磁电阻自旋阀在磁场作用下，其电阻率明显降低，具有饱和场低，磁场灵敏度高等优点。
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