[发明专利]基底铜层的磨光方法无效
| 申请号： | 02158978.X | 申请日： | 2002-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1428827A | 公开（公告）日： | 2003-07-09 |
| 发明（设计）人： | 宫入广雄;稻田安雄;长谷川毅;寺岛优二;酒井健儿;北村忠浩;梅田刚宏 | 申请（专利权）人： | 不二越机械工业株式会社;不二见株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/304;C09K3/14;C23F1/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 吴明华 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磨光一基底的铜层的方法能够提高磨削率等。该方法包括下列步骤：将一基底供应到在一磨光板上的一磨光垫的上，并使铜层面对磨光垫；借助一压头用一背垫将基底压到磨光垫上；相对于磨光板相对地转动压头，并将软膏供应到在磨光垫上。背垫是由AskerC硬度为75－95、压缩率为10％或更小的材料制成，磨光软膏包括用来螯合铜的螯合剂、用来蚀刻铜层表面的蚀刻剂、用来氧化铜层表面的氧化剂以及水。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 磨光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磨光基底铜层的方法，包括下列步骤：将一基底供应到在一磨光板上的一磨光垫上，并使铜层面对磨光垫；借助一压头用一背垫将基底压到磨光垫上；相对于磨光板相对地转动压头，并将软膏供应到在磨光垫上，以磨光铜层，其中，所述背垫是由AskerC硬度为75-95、压缩率为10％或更小的材料制成，且所述磨光软膏包括用来螯合铜的螯合剂、用来蚀刻铜层表面的蚀刻剂、用来氧化铜层表面的氧化剂以及水。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
