[发明专利]双载子晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 02159064.8 | 申请日： | 2002-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1466225A | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | 陈立哲 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/72 | 分类号： | H01L29/72 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种双载子晶体管及其制造方法，该双载子晶体管包含有一介电层形成于一基底上，一开口形成于该介电层中且暴露部份该基底，一重掺杂硅层设于该开口的侧壁上，用来定义一自行对准基极区域，一本征基极掺杂区，经由该自行对准基极区域植入于该开口底部的该基底中，一侧壁子，设于该重掺杂硅层上并于该开口中定义一自行对准发射极区域，以及一发射极导电层，填入该自行对准发射极区域内，并与该本征基极掺杂区接触形成一PN接面；本发明的方法并不需要利用高温的热扩散制程以形成非本征基极区域，因此不但可以形成双载子晶体管，也可以用来形成异质接面的双载子晶体管的发射极区域/基极区域与集电极区域，同时达到简化制程步骤，降低制程成本的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 双载子 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双载子晶体管，其特征是：包含有：一基底；一介电层，形成于该基底的一预定区域内；一开口，形成于该介电层中且暴露部份该基底；一重掺杂多晶硅层，形成于该开口的侧壁上，且该重掺杂多晶硅层于该开口中定义一自行对准基极区域；一本征基极掺杂区，经由该自行对准基极区域植入于该开口底部的该基底中；一侧壁子，设于该重掺杂多晶硅层上，且该侧壁子于该开口中定义一自行对准发射极区域；及一发射极导电层，填入该自行对准发射极区域内，并与该本征基极掺杂区接触形成一PN接面。
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